据了解，深紫外LED专用图形化衬底及芯片制备技术的研究及产业化具体规划主要研究种适用于AlN和高铝组分AlGaN 紫外LED芯片外延生长的纳米图形化蓝宝石衬底，解决UVC半导体外延工艺、提升杀菌效率、改善散热三个问题。

    其主要技术目标是如实现图形尺寸均匀分布的纳米级图形化衬底制备，其具体图形尺寸：上（下）孔径为700-1000（100-300）nm，深度为300-650nm，周期1-1.4μm的微结构，均匀性小于3-5%。 二是采用纳米级图形化衬底，实现AlGaN量子阱的发光波长在280 nm以下（发光波长260～280nm），内量子效率大于50%。另外在制备紫外LED芯片结构方面，实现电致发光波长280 nm以下，芯片外量子效率大于3%，输出光功率达10mW以上。

    深紫外LED因为能够灭杀新冠病毒及本身的优势，越来越受政府关注。此前，福建厦门市科学技术局发布《2021年厦门市重大科技项目（工业及信息化领域）申报指南》其中在集成电路和第三代半导体方向当中，关于新型发光、显示器件及芯片研发及产业化中有一项明确提出关注“深紫外发光材料及器件”。

    又如山西省同样扶持UV LED发展（点击详情），在《山西省“十四五”新装备规划》中，将在智能检测设备领域重点突破紫外LED芯片、深紫外LED芯片、MiniLED等核心关键技术，重点研发全波段UV LED系列产品、LED外延产品、紫外应用产品。同时，将加大蓝宝石生长设备及MOCVD设备的研发投入。

    如今，安徽这一政策涉及紫外，给行业再次带来利好信息，对推动UV LED发展有重大意义！